Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	Toshiba
Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Id - Continuous Drain Current:	214 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	130 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	255 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	U-MOSVIII-H
Series:	TK100E08N1
Packaging:	Tube
Brand:	Toshiba

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

TK100E08N1 TO-220 214A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et