SI2301CDS-T1-GE3 - (N1A0G) SOT-23 2.2A 20V 1.25W 0.13OHM P-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
2 Adet
Fiyat
0,39 USD + KDV
*1,50 TL den başlayan taksitlerle!
16,15 TL
SI2301CDS-T1-GE3   SOT-23   2.2A 20V 1.25W 0.13OHM   P-CHANNEL MOSFET

SI2301 MOSFET

Type Designator: SI2301

Marking Code: A1sHB

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: P -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 1.25 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 20 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 8 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 0.45 V

Maximum Drain Current |Id|: 2.2 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 36 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 223 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.13 Ohm

Package: SOT23

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
SI2301CDS-T1-GE3 - (N1A0G) SOT-23 2.2A 20V 1.25W 0.13OHM P-CHANNEL MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, N1A0G, N1AOG, SI2301 SOT23 20V 2.2A 1.25W 0.13OHM P-Channel Enhancement MOSFET Transistor-VS
SI2301CDS-T1-GE3 - (N1A0G)   SOT-23   2.2A 20V 1.25W 0.13OHM   P-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.