HY4903B TO-263 290A 30V 214W 0.002OHM N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
33 Adet
Fiyat
2,40 USD + KDV
*9,21 TL den başlayan taksitlerle!
99,06 TL
HY4903B   TO-263   290A 30V 214W 0.002OHM   N-CHANNEL MOSFET

HY4903B MOSFET

Type Designator: HY4903B

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 214 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3 V

Maximum Drain Current |Id|: 290 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 247 nC

Rise Time (tr): 120 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 1236 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.002 Ohm

Package: TO263

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
HY4903B TO-263 290A 30V 214W 0.002OHM N-CHANNEL MOSFET SUM45N25-58E3, SUM45N25, SUM45N25-58 TO263 250V 45A N-Channel MOSFET Transistör-VISHAY HY4903B, HY4903 TO263 30V 290A 214W 0.002OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HUAYI
HY4903B   TO-263   290A 30V 214W 0.002OHM   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.