STW11NB80 - (W11NB80) TO-247 11A 800V 190W 0.8Ω N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
20 Adet
Fiyat
4,40 USD + KDV
*16,94 TL den başlayan taksitlerle!
182,22 TL
STW11NB80 - (W11NB80)   TO-247   11A 800V 190W 0.8Ω   N-CHANNEL MOSFET

STW11NB80 MOSFET

Type Designator: STW11NB80

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 190 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 800 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V

Maximum Drain Current |Id|: 11 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 70 nC

Rise Time (tr): 13 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 350 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.8 Ohm

Package: TO-247


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
STW11NB80 - (W11NB80) TO-247 11A 800V 190W 0.8Ω N-CHANNEL MOSFET STW11NB80, W11NB80, 11N80 TO247 800V 11A 190W 800mOhms N-Channel PowerMESH MOSFET-STM STW11NB80, W11NB80, 11N80 TO247 800V 11A 190W 800mOhms N-Channel PowerMESH MOSFET-STM-U-3
STW11NB80 - (W11NB80)   TO-247   11A 800V 190W 0.8Ω   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.