STB26NM60ND TO-263 21A 600V 190W 175mΩ N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
5 Adet
Fiyat
3,40 USD + KDV
*13,09 TL den başlayan taksitlerle!
140,81 TL
STB26NM60ND   TO-263   21A 600V 190W 175mΩ   N-CHANNEL MOSFET

STB26NM60ND MOSFET

Type Designator: STB26NM60ND

Marking Code: 26NM60ND

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 190 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V

Maximum Drain Current |Id|: 21 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 54.6 nC

Rise Time (tr): 14.5 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 90 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.175 Ohm

Package: D2PAK


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
STB26NM60ND TO-263 21A 600V 190W 175mΩ N-CHANNEL MOSFET STB26NM60ND, 26NM60ND, 26NM60, 26N60 TO263 600V 21A 190W 175mOhm N-Channel FDmesh II Power MOSFET-ST STB26NM60ND, 26NM60ND, 26NM60, 26N60 TO263 600V 21A 190W 175mOhm N-Channel FDmesh II Power MOSFET-ST
STB26NM60ND   TO-263   21A 600V 190W 175mΩ   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.