SI4410DY SOIC-8 10A 30V 2.5W 0.0135OHM N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
16 Adet
Fiyat
1,40 USD + KDV
*5,39 TL den başlayan taksitlerle!
57,98 TL
SI4410DY   SOIC-8   10A 30V 2.5W 0.0135OHM   N-CHANNEL MOSFET

SI4410DY MOSFET

Type Designator: SI4410DY

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1(min) V

Maximum Drain Current |Id|: 10 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 30 nC

Rise Time (tr): 7.7 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 739 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0135 Ohm

Package: SO8


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
SI4410DY SOIC-8 10A 30V 2.5W 0.0135OHM N-CHANNEL MOSFET SI4410DY SOIC8 30V 10A 2.5W 0.0135OHM N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET-VS SI4410DY SOIC8 30V 10A 2.5W 0.0135OHM N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET-VS
SI4410DY   SOIC-8   10A 30V 2.5W 0.0135OHM   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.