RJP30Y2A TO-220F 35A 360V 60W N-CHHANEL IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kategori
Kalan Adet
12 Adet
Fiyat
2,65 USD + KDV
*10,20 TL den başlayan taksitlerle!
109,75 TL
RJP30Y2A TO-220F 35A 360V 60W N-CHHANEL IGBT TRANSISTOR

RJP30H2A IGBT

Type Designator: RJP30H2A

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 60

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 360

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.9

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 30

Maximum Collector Current |Ic|, A: 35

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 180

Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 60

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
RJP30Y2A TO-220F 35A 360V 60W N-CHHANEL IGBT TRANSISTOR RJP30Y2A, RJP30Y, 30Y2A TO220F 360V 35A 60W Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Transistor RJP30Y2A, RJP30Y, 30Y2A TO220F 360V 35A 60W Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Transistor RJP30Y2A         TO-220F        35A 360V 60W      N-CHHANEL IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.