RJP30H2ADPE-00-J3 TO-263 35A 360V N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kategori
Kalan Adet
540 Adet
Fiyat
1,90 USD + KDV
*7,29 TL den başlayan taksitlerle!
78,37 TL
RJP30H2ADPE-00-J3 TO-263 35A 360V N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

RJP30H2A IGBT

Type Designator: RJP30H2A

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 60

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 360

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.9

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 30

Maximum Collector Current |Ic|, A: 35

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 180

Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 60

Package: TO263

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
RJP30H2ADPE-00-J3 TO-263 35A 360V N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR RJP30H2ADPE-00-J3, RJP30H2ADPE, RJP30H2A TO263 360V 35A Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Transistor-RENESAS RJP30H2ADPE-00-J3, RJP30H2ADPE, RJP30H2A TO263 360V 35A Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Transistor-RENESAS-U-3
RJP30H2ADPE-00-J3    TO-263    35A 360V   N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.