MTP12N10E TO-220 12A 800V 156W 0.45Ω N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
12 Adet
Fiyat
1,25 USD + KDV
*4,81 TL den başlayan taksitlerle!
51,77 TL
MTP12N10E   TO-220   12A 800V 156W 0.45Ω    N-CHANNEL MOSFET

MTP12N10E MOSFET

Type Designator: MTP12N10E

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 75 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 12 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 17 nC

Rise Time (tr): 150 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 400 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.18 Ohm

Package: TO-220AB

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
MTP12N10E TO-220 12A 800V 156W 0.45Ω N-CHANNEL MOSFET MTP12N10E, 12N10E, 12N10 TO220 800V 12A 156W 0.45Ohm N-Channel TMOS E-FET Power Field Effect Transistor-MOT MTP12N10E, 12N10E, 12N10 TO220 800V 12A 156W 0.45Ohm N-Channel TMOS E-FET Power Field Effect Transistor-MOT
MTP12N10E   TO-220   12A 800V 156W 0.45Ω    N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.