IXTQ130N10T TO-3P 130A 100V 360W 9.1mΩ N-CHANNEL MOSFET

IXTQ130N10T TO-3P 130A 100V 360W 9.1mΩ N-CHANNEL MOSFET

IXYS
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
20 Adet
Fiyat
6,30 USD + KDV
*24,26 TL den başlayan taksitlerle!
260,91 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi
IXTQ130N10T   TO-3P   130A 100V 360W 9.1mΩ    N-CHANNEL MOSFET

IXTQ130N10T MOSFET

Type Designator: IXTQ130N10T

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 360 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 130 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 104 nC

Rise Time (tr): 67 nS

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0091 Ohm

Package: TO3P

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IXTQ130N10T TO-3P 130A 100V 360W 9.1mΩ N-CHANNEL MOSFET IXTQ130N10T, 130N10 TO3P 100V 130A 360W 9.1mOhm N-Channel TrenchMV Power MOSFET-IXYS IXTQ130N10T, 130N10 TO3P 100V 130A 360W 9.1mOhm N-Channel TrenchMV Power MOSFET-IXYS
IXTQ130N10T TO-3P 130A 100V 360W 9.1mΩ N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.