Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	IXYS
Product Category:	IGBT Transistors
RoHS:	Details
Technology:	Si
Package/Case:	TO-3P
Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	330 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V
Continuous Collector Current at 25 C:	90 A
Pd - Power Dissipation:	200 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tube
Brand:	IXYS

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Etiketler :

ıxgq90n33tcd1 ixgq90n33tcd1 datasheet ixgq90n33tcd1 pdf 90n33 90n33 datasheet 90n33 pdf igbt fga90n33 datasheet 90n33 330v 90a

IXGQ90N33TCD1 TO-3P 90A 330V 200W IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et