IXFH6N120P TO-247 6A 1200V 250W 2.75Ω N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
10 Adet
Fiyat
12,00 USD + KDV
*46,21 TL den başlayan taksitlerle!
496,97 TL
IXFH6N120P TO-247 6A 1200V 250W 2.75Ω N-CHANNEL MOSFET

IXFH6N120P MOSFET

Type Designator: IXFH6N120P

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 250 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 1200 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V

Maximum Drain Current |Id|: 6 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 92 nC

Rise Time (tr): 300 nS

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2.75 Ohm

Package: TO247


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IXFH6N120P TO-247 6A 1200V 250W 2.75Ω N-CHANNEL MOSFET IXFH6N120P, 6N120 TO247 1200V 6A 250W 2.75Ohm N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode-IXYS IXFH6N120P, 6N120 TO247 1200V 6A 250W 2.75Ohm N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode-IXYS
IXFH6N120P   TO-247   6A 1200V 250W 2.75Ω   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.