IRFBE30PBF TO-220 4.1A 800V 125W 3.0OHM N-CHANNEL MOSFET

IRFBE30PBF TO-220 4.1A 800V 125W 3.0OHM N-CHANNEL MOSFET

VISHAY
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
260 Adet
Fiyat
2,20 USD + KDV
*8,47 TL den başlayan taksitlerle!
91,11 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi

IRFBE30 MOSFET

Type Designator: IRFBE30

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 800 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 4.1 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 78 nC

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3 Ohm

Package: TO220AB

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IRFBE30PBF TO-220 4.1A 800V 125W 3.0OHM N-CHANNEL MOSFET IRFBE30PBF, IRFBE30 TO220 800V 4.1A 3.0OHM 125W Hexfet Power Mosfet Transistor-U-3 IRFBE30PBF, IRFBE30 TO220 800V 4.1A 3.0OHM 125W Hexfet Power Mosfet Transistor-U-3
IRFBE30PBF TO-220 4.1A 800V 125W 3.0OHM N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.