IRFB9N60APBF TO-220 9.2A 600V 170W 0.75OHM N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
33 Adet
Fiyat
3,10 USD + KDV
*11,94 TL den başlayan taksitlerle!
128,38 TL

IRFB9N60APBF

Type Designator: IRFB9N60APBF

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 170 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 9.2 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 49 nC

Rise Time (tr): 25 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 180 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.75 Ohm

Package: TO-220AB

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IRFB9N60APBF TO-220 9.2A 600V 170W 0.75OHM N-CHANNEL MOSFET IRFB9N60APBF, FB9N60A, 9N60 TO220 600V 9.2A 170W 0.75Ohms N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR IRFB9N60APBF, FB9N60A, 9N60 TO220 600V 9.2A 170W 0.75Ohms N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR
IRFB9N60APBF   TO-220   9.2A 600V 170W 0.75OHM   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.