IRFB59N10D TO-220 59A 100V 3.8W (Ta), 200W (Tc) 0.025Ω N-CHANNEL MOSFET

IRFB59N10D TO-220 59A 100V 3.8W (Ta), 200W (Tc) 0.025Ω N-CHANNEL MOSFET

(IR) INTERNATIONAL RECTIFIER
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
13 Adet
Fiyat
2,40 USD + KDV
*9,24 TL den başlayan taksitlerle!
99,39 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi

IRFB59N10D MOSFET

Type Designator: IRFB59N10D

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 200 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Drain Current |Id|: 59 A

Total Gate Charge (Qg): 76 nC

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.025 Ohm

Package: TO220AB

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IRFB59N10D TO-220 59A 100V 3.8W (Ta), 200W (Tc) 0.025Ω N-CHANNEL MOSFET IRFB59N10D, FB59N10D, 59N10 TO220 100V 59A 3.8W (Ta), 200W (Tc) 0.025Ohm N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR IRFB59N10D, FB59N10D, 59N10 TO220 100V 59A 3.8W (Ta), 200W (Tc) 0.025Ohm N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR
IRFB59N10D TO-220 59A 100V 3.8W (Ta), 200W (Tc) 0.025Ω N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.