IRF7807Z SOIC-8 30V 11A 2.5W 13.8mΩ N-CHANNEL MOSFET

IRF7807Z SOIC-8 30V 11A 2.5W 13.8mΩ N-CHANNEL MOSFET

(IR) INTERNATIONAL RECTIFIER
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
40 Adet
Fiyat
1,10 USD + KDV
*4,24 TL den başlayan taksitlerle!
45,56 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi

IRF7807Z MOSFET

Type Designator: IRF7807Z

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.25 V

Maximum Drain Current |Id|: 11 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 6.2 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 190 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0138 Ohm

Package: SO8


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IRF7807Z SOIC-8 30V 11A 2.5W 13.8mΩ N-CHANNEL MOSFET IRF7807Z, F7807, IRF7807 SOIC8 11A 30V 2.5W 13.8mOhm N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR IRF7807Z, F7807, IRF7807 SOIC8 11A 30V 2.5W 13.8mOhm N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR
IRF7807Z SOIC-8 30V 11A 2.5W 13.8mΩ N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.