IRF530NSTRLPBF - (F530NS) TO-263 17A 100V 3.8W 90mΩ N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
31 Adet
Fiyat
0,75 USD + KDV
*2,88 TL den başlayan taksitlerle!
30,96 TL

IRF530NS MOSFET

Type Designator: IRF530NS

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 79 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 17 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 24.7 nC

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.11 Ohm

Package: D2PAK

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IRF530NSTRLPBF - (F530NS) TO-263 17A 100V 3.8W 90mΩ N-CHANNEL MOSFET IRF530NSTRLPBF, F530NS, IRF530NS, IRF530 TO263 100V 17A 3.8W 90mOhm N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR IRF530NSTRLPBF, F530NS, IRF530NS, IRF530 TO263 100V 17A 3.8W 90mOhm N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR
IRF530NSTRLPBF - (F530NS)   TO-263   17A 100V 3.8W 90mΩ   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.