IRF3709ZS TO-263 87A 30V 79W 0.0063OHM N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
20 Adet
Fiyat
2,99 USD + KDV
*12,62 TL den başlayan taksitlerle!
135,75 TL
IRF3709ZS   TO-263   87A 30V 79W 0.0063OHM   N-CHANNEL MOSFET

IRF3709ZS MOSFET

Type Designator: IRF3709ZS

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 79 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.25 V

Maximum Drain Current |Id|: 87 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 17 nC

Rise Time (tr): 41 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 450 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0063 Ohm

Package: TO263

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IRF3709ZS TO-263 87A 30V 79W 0.0063OHM N-CHANNEL MOSFET IRF3709ZS, IRF3709 TO263 30V 87A 79W 0.0063OHM N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR IRF3709ZS, IRF3709 TO263 30V 87A 79W 0.0063OHM N-Channel HEXFET Power MOSFET-IR
IRF3709ZS   TO-263   87A 30V 79W 0.0063OHM   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.