IPB019N08N3G TO-263-7 80A 180V N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
13 Adet
Fiyat
4,99 USD + KDV
*19,21 TL den başlayan taksitlerle!
206,65 TL
IPB019N08N3G   TO-263-7   80A 180V   N-CHANNEL MOSFET

IPB019N08N3G

Type Designator: IPB019N08N3G

Marking Code: 019N08N

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 80 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 180 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 155 nC

Rise Time (tr): 73 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 2890 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0019 Ohm

Package: TO263-7

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
IPB019N08N3G TO-263-7 80A 180V N-CHANNEL MOSFET IPB019N08N3G, IPB019, 019N08N TO263-7 180V 80A N-Channel Power MOSFET Transistor-INF IPB019N08N3G, IPB019, 019N08N TO263-7 180V 80A N-Channel Power MOSFET Transistor-INF
IPB019N08N3G   TO-263-7   80A 180V   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.