HY5110W TO-247 316A 100V 500W 0.025Ω N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
25 Adet
Fiyat
5,45 USD + KDV
*20,91 TL den başlayan taksitlerle!
224,94 TL
HY5110W   TO-247   316A 100V 500W 0.025Ω   N-CHANNEL MOSFET

HY5110W MOSFET

Type Designator: HY5110W

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 500 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 316 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 356 nC

Rise Time (tr): 49 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 1558 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0025 Ohm

Package: TO247

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
HY5110W TO-247 316A 100V 500W 0.025Ω N-CHANNEL MOSFET HY5110W TO247 100V 316A 500W 0.025OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HY HY5110W TO247 100V 316A 500W 0.025OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HY
HY5110W   TO-247   316A 100V 500W 0.025Ω   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.