HY3210P TO-220 120A 100V 237W 0.0085Ω N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
42 Adet
Fiyat
1,90 USD + KDV
*7,36 TL den başlayan taksitlerle!
79,21 TL
HY3210P   TO-247   120A 100V 237W 0.0085Ω   N-CHANNEL MOSFET

HY3210P MOSFET

Type Designator: HY3210P

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 237 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 120 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 120 nC

Rise Time (tr): 35 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 902 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0085 Ohm

Package: TO220FB

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
HY3210P TO-220 120A 100V 237W 0.0085Ω N-CHANNEL MOSFET HY3210P TO220 100V 120A 237W 0.0085OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HY HY3210P TO220 100V 120A 237W 0.0085OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HY
HY3210P   TO-220   120A 100V 237W 0.0085Ω   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.