HY3007P TO-220 120A 68V 200W 0.007OHM N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
16 Adet
Fiyat
1,90 USD + KDV
*7,29 TL den başlayan taksitlerle!
78,42 TL
HY3007P   TO-220   120A 68V 200W 0.007OHM   N-CHANNEL MOSFET

HY3007P MOSFET

Type Designator: HY3007P

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 200 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 68 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 120 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 76 nC

Rise Time (tr): 11 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 920 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.007 Ohm

Package: TO220

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
HY3007P TO-220 120A 68V 200W 0.007OHM N-CHANNEL MOSFET HY3007P, HY3007 TO220 68V 120A 200W 0.007OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HUAYI HY3007P, HY3007 TO220 68V 120A 200W 0.007OHM N-Channel Enhancement Mode MOSFET-HUAYI
HY3007P   TO-220   120A 68V 200W 0.007OHM   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.