GT60M104 TO-3PL 60A 900V 200W IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kategori
Kalan Adet
6 Adet
Fiyat
8,90 USD + KDV
*34,27 TL den başlayan taksitlerle!
368,58 TL
GT60M104 TO-3PL 60A 900V 200W IGBT TRANSISTOR

GT60M104

Type Designator: GT60M104

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 200

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 900

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.4

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 25

Maximum Collector Current |Ic|, A: 60

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 250

Package: 2-21F2C


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT60M104 TO-3PL 60A 900V 200W IGBT TRANSISTOR GT60M104, 60M104 TO3PL 900V 60A 200W Silicon N-Channel IGBT Gate Bipolar Transistor-TOSHIBA GT60M104, 60M104 TO3PL 900V 60A 200W Silicon N-Channel IGBT Gate Bipolar Transistor-TOSHIBA
GT60M104        TO-3PL        60A 900V 200W       IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.