GT50N322A TO-3P 50A 1000V 156W IGBT TRANSISTOR

GT50N322A TO-3P 50A 1000V 156W IGBT TRANSISTOR

TOSHIBA
0 - Yorum
Kategori
IGBT Transistör
Kalan Adet
20 Adet
Fiyat
8,90 USD + KDV
*34,15 TL den başlayan taksitlerle!
367,34 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi
GT50N322A   TO-3P   50A 1000V 156W   IGBT TRANSISTOR

GT50N322A IGBT

Type Designator: GT50N322A

Type: IGBT

Marking Code: 50N322A

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 156

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 1000

Maximum Gate-Emitter Voltage |Vge|, V: 25

Maximum Collector Current |Ic| @25℃, A: 50

Collector-Emitter saturation Voltage |VCE(sat)|, typ, V: 2.2

Maximum Junction Temperature (Tj), ℃: 150

Rise Time (tr), typ, nS: 230

Package: 2-16C1C

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT50N322A TO-3P 50A 1000V 156W IGBT TRANSISTOR GT50N322A, 50N322 TO3P 1000V 50A 156W Silicon N Channel IGBT Transistor-TOSHIBA GT50N322A, 50N322 TO3P 1000V 50A 156W Silicon N Channel IGBT Transistor-TOSHIBA
GT50N322A TO-3P 50A 1000V 156W IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.