GT30J121 TO-3P 600V 30A 170W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kategori
Kalan Adet
7 Adet
Fiyat
4,40 USD + KDV
*16,94 TL den başlayan taksitlerle!
182,22 TL

GT30J121

Type Designator: GT30J121

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 170

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20

Maximum Collector Current |Ic|, A: 30

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Package: 2-16C1C

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT30J121 TO-3P 600V 30A 170W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR GT30J121 TO3P 30A 600V 170W SILICON N-CHANNEL IGBT TRANSİSTÖR
GT30J121         TO-3P      600V 30A 170W      N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.