GT15J101 TO-3P 600V 15A N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kategori
Kalan Adet
2 Adet
Fiyat
4,00 USD + KDV
*15,40 TL den başlayan taksitlerle!
165,66 TL

GT15J101

Type Designator: GT15J101

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 100

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 4

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20

Maximum Collector Current |Ic|, A: 15

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 600

Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 1100pF

Package: TOP3

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT15J101 TO-3P 600V 15A N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR GT15J101, 15J101 TO3P 15A 600V SILICON N CHANNEL IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR-TOSHIBA GT15J101, 15J101 TO3P 15A 600V SILICON N CHANNEL IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR-TOSHIBA
GT15J101     TO-3P    600V 15A    N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.