FMH11N90E TO-3P 11A 900V 285W 1Ω N-CHANNEL MOSFET

0 - Yorum
Kalan Adet
301 Adet
Fiyat
3,50 USD + KDV
*13,48 TL den başlayan taksitlerle!
144,95 TL
FMH11N90E   TO-3P   11A 900V 285W 1Ω   N-CHANNEL MOSFET

FMH11N90E MOSFET

Type Designator: FMH11N90E

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 285 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 900 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 11 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 60 nC

Rise Time (tr): 32 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 200 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1 Ohm

Package: TO-3P-Q

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
FMH11N90E TO-3P 11A 900V 285W 1Ω N-CHANNEL MOSFET FMH11N90E, 11N90E, 11N90 TO3P 900V 11A 285W 1Ohm Super FAP-E Series N-Channel Silicon Power MOSFET-FUJI FMH11N90E, 11N90E, 11N90 TO3P 900V 11A 285W 1Ohm Super FAP-E Series N-Channel Silicon Power MOSFET-FUJI
FMH11N90E   TO-3P   11A 900V 285W 1Ω   N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.