FMH09N90E TO-3P 9A 900V 205W 1.4Ω N-CHANNEL MOSFET

FMH09N90E TO-3P 9A 900V 205W 1.4Ω N-CHANNEL MOSFET

FUJI
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
17 Adet
Fiyat
3,65 USD + KDV
*14,05 TL den başlayan taksitlerle!
151,16 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi
FMH09N90E TO-3P 9A 900V 205W 1.4Ω N-CHANNEL MOSFET

FMH09N90E MOSFET

Type Designator: FMH09N90E

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 205 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 900 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 9 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 50 nC

Rise Time (tr): 30 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 150 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.4 Ohm

Package: TO-3P-Q


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
FMH09N90E TO-3P 9A 900V 205W 1.4Ω N-CHANNEL MOSFET FMH09N90E, FMH09N90, 9N90, 09N90E TO3P 900V 9A 205W 1.4Ohm Super FAP-E Series N-Channel Silicon Power MOSFET-FUJI FMH09N90E, FMH09N90, 9N90, 09N90E TO3P 900V 9A 205W 1.4Ohm Super FAP-E Series N-Channel Silicon Power MOSFET-FUJI
FMH09N90E TO-3P 9A 900V 205W 1.4Ω N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.