BUZ357 TO-218 5.1A 1000V N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

BUZ357 TO-218 5.1A 1000V N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

SIEMENS
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
34 Adet
Fiyat
3,30 USD + KDV
*13,19 TL den başlayan taksitlerle!
141,88 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi
BUZ357   TO-218   5.1A 1000V   N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

BUZ357 MOSFET

Type Designator: BUZ357

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 1000 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 5.1 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 100 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 170 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2 Ohm

Package: TO-218AA


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
BUZ357 TO-218 5.1A 1000V N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR BUZ357 TO218 1000V 5.1A N-Channel SIPMOS Power Transistor-SIEMENS BUZ357 TO218 1000V 5.1A N-Channel SIPMOS Power Transistor-SIEMENS
BUZ357 TO-218 5.1A 1000V N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.