Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	Infineon
Product Category:	IGBT Modules
RoHS:	Details
Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Full Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C:	50 A
Gate-Emitter Leakage Current:	300 nA
Pd - Power Dissipation:	360 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 125 C
Packaging:	Tray
Brand:	Infineon Technologies

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Etiketler :

bsm50gx120dn2 bsm50gx120dn2 datasheet bsm50gx120dn2(6) datasheet pdf bsm50gx120dn2 datasheet pdf bsm50gx120dn2(6) pdf bsm50gx120dn2(6) bsm50gx120dn2(6) datasheet bsm50gx120dn2 eupec bsm50gx120dn2 datasheet eupec

BSM50GX120DN2 50A 1200V IGBT MODULE

Tavsiye Et