AP30G120ASW TO-3P 30A 1200V 208W IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kategori
Kalan Adet
60 Adet
Fiyat
3,30 USD + KDV
*12,66 TL den başlayan taksitlerle!
136,20 TL
AP30G120ASW TO-3P 30A 1200V 208W IGBT TRANSISTOR

AP30G120ASW IGBT

Type Designator: AP30G120ASW

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 208

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 1200

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 3.7

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 30

Maximum Collector Current |Ic|, A: 60

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 45

Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 120

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
AP30G120ASW TO-3P 30A 1200V 208W IGBT TRANSISTOR AP30G120ASW, 30G120ASW, 30N120 TO3P 1200V 30A 208W N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.-APEC AP30G120ASW, 30G120ASW, 30N120 TO3P 1200V 30A 208W N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.-APEC
AP30G120ASW   TO-3P   30A 1200V 208W   IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.