2SK899 TO-3P 18A 500V 125W 0.33Ω N-CHANNEL MOSFET

2SK899 TO-3P 18A 500V 125W 0.33Ω N-CHANNEL MOSFET

FUJITSU
0 - Yorum
Kategori
Mosfet Transistör
Kalan Adet
10 Adet
Fiyat
4,99 USD + KDV
*19,21 TL den başlayan taksitlerle!
206,65 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi
2SK899   TO-3P   18A 500V 125W 0.33Ω   N-CHANNEL MOSFET

2SK899 MOSFET

Type Designator: 2SK899

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 18 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Turn-on Time (ton): 130 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 330 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.33 Ohm

Package: TO3P


Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
2SK899 TO-3P 18A 500V 125W 0.33Ω N-CHANNEL MOSFET 2SK899, K899 TO3P 500V 18A 125W 0.33Ohm N-Channel Silicon Power MOSFET-FUJI 2SK899, K899 TO3P 500V 18A 125W 0.33Ohm N-Channel Silicon Power MOSFET-FUJI
2SK899 TO-3P 18A 500V 125W 0.33Ω N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.